实上去其成果以AHigh-PerformanceNonlinearMetasurfacefor Spatial-WaveAbsorption为题发表在AdvancedFunctionMaterials。

(2)与SiC的间接带隙不同，全球资GaN的直接带隙具有更高的光生载流子激发效率，能够增强MoS2/GaN异质结的光响应度。受邀为J.Magn.Magn.Mater.、本都Nanoscale、JPCC等国际刊物审稿。

同时，想扑具有高击穿电压、高迁移率和高热导率的宽带隙半导体（WBS）在高频微波器件、高温和大功率电子器件中显示出重要的应用。异质结构的界面效应，实上去如能带排列、内建电场、缺陷、掺杂或界面处的超交换相互作用，对器件的性能具有至关重要的影响。此外，全球资研究特定二维通道上的界面掺杂或缺陷对于异质结构器件小型化很重要。

目前主要研究二维材料及其异质结的制备、本都光电特性和忆阻特性的研究，以及二维异质结构光电探测器和忆阻器的设计与开发。(ii)探索新物理，想扑更深入地研究二维/WBS异质结构的光学、电学或磁学性质的调制机制对实现多功能至关重要。

此外，实上去2D/WBS异质结构的良好晶格匹配有望提高外延二维材料的晶体质量和相关异质结的界面质量。

MoS2/GaN如此优异的光电性能归因于以下因素：全球资（1）MoS2/WBS的界面内建电场和异质结构的II型能带排列，这是石墨烯/WBS所不具备的。本都2005年入选中国科学院百人计划。

卢柯团队的研究方向包括金属电化学愈合、想扑摩擦磨损、梯度纳米结构材料和纳米层片结构材料。2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、实上去是该公司的联合创始人之一，实上去历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。

Nature和Science作为当今全球最具权威的学术期刊，全球资在科学界的影响力不言而喻。中国科学院院士、本都发展中国家科学院(TWAS)院士和英国皇家化学会荣誉会士(HonFRSC)。